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Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-08-26 10:02:03     瀏覽：298

　　IRF7309TRPBF是一款由IR公司生產(chǎn)的第五代HEXFET?功率MOSFET，它采用了先進(jìn)的處理技術(shù)，旨在實現(xiàn)超低的導(dǎo)通電阻，從而在單位硅面積上達(dá)到盡可能低的電阻值。這款器件具有優(yōu)越的速度開關(guān)性能和強健的設(shè)計，使其成為眾多應(yīng)用中的高效設(shè)備。

Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

　　主要特點：

　　第五代技術(shù)：利用最新的技術(shù)進(jìn)步，提供優(yōu)化的性能。

　　超低導(dǎo)通電阻：N溝道為0.050Ω，P溝道為0.10Ω，有助于減少功率損耗。

　　雙N溝道和P溝道MOSFET：在一個封裝內(nèi)集成了兩種類型的MOSFET，方便設(shè)計。

　　表面貼裝：適用于自動化組裝，提高生產(chǎn)效率。

　　提供卷帶包裝：便于大規(guī)模生產(chǎn)中的連續(xù)供應(yīng)。

　　動態(tài)dv/dt等級：能夠處理快速的電壓變化率，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

　　快速切換：快速開關(guān)特性有助于提高系統(tǒng)效率。

　　無鉛：符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，減少對環(huán)境的影響。

　　封裝類型：

　　SO-8封裝：標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝封裝，適用于多種電路板設(shè)計。

參數(shù)：

ParametricsIRF7309
ID (@25°C)   max4 A ; -3 A
Moisture Sensitivity Level1
Ptot (@ TA=25°C)   max1.4 W
PackageSO-8
PolarityN+P
QG (typ @4.5V)16.7 nC ; 16.7 nC
Qgd (typ)5.3 nC ; 6 nC
RDS (on) (@4.5V)   max80 m? ; 160 m?
RDS (on) (@10V)   max50 m? ; 100 m?
RthJA   max90 K/W
Tj   max150 °C
VDS   max30 V ; -30 V
VGS(th)   min-1 V ; 1 V
VGS   max20 V

IR HiRel原為美國知名半導(dǎo)體品牌，現(xiàn)被Infineon收購。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢渠道供貨IR高可靠性系列產(chǎn)品，歡迎各界前來咨詢。

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